국내 연구진이 세계에서 가장 빠른 나노트랜지스터를 개발했다. 이 기술은 그동안 세계 최고기록을 가지고 있었던 일본의 기술을 능가, 나노 화합물 반도체 분야에서 핵심기술로 우위를 선점할 전망이다.

12일 서울대에 따르면 이 대학 서광석 교수(전기·컴퓨터공학부) 연구팀은나노소자특화팹센터(대표이사 고철기)와의 공동연구를 통해 세계에서 가장 빠른 15㎚, 610㎓급 갈륨비소계 나노트랜지스터(metamorphicHEMT·mHEMT) 개발에 성공했다.

이 기술은 나노 HEMT 소자의 게이트 길이를 15㎚로 줄이고 트랜지스터 동작속도를 결정짓는 전류이득 차단주파수를 610㎓로 끌어올려 전계효과 트랜지스터(FET) 중 세계에서 가장 빠른 속도를 보인다. 이로써 세계 최고기록인 25㎚ 및 562㎓의 기술을 보유하고 있던 일본 후지쯔를 월등히 앞서게 됐으며, 세계적으로 나노소자 분야의 핵심 기술로 기대를 모을 전망이다. 기존에 문제점을 지적돼 왔던 HEMT 제작 시 전자선 감광막 두께 조절 및 게이트 전극이 끊김 현상 등에 대해서도 성과를 거뒀다. 서 교수 연구팀은 "경사식각공정라는 새로운 공정기술을 창안해 나노소자특화팹센터의 전자선 묘화장비와 기술진의 도움을 받아 초미세 게이트 전극을 안정적으로 구현했고, 전극이 쉽게 끊어지는 문제를 동시에 해결했다"고 밝혔다.