하이닉스반도체(대표이사 김종갑 www.hynix.co.kr)는 세계 최초로 3중셀 기술을 적용한 32GB 낸드플래시 메모리 개발에 성공했다고 3일 밝혔다.

3중셀은 하나의 셀에 세 개의 정보를 담을 수 있는 획기적인 기술이다. 현재까지는 한 셀에 두 개의 정보를 담을 수 있는 멀티레벨셀까지 개발된 상태다. 하이닉스는 이번에 개발한 3중셀 제품이 기존의 멀티레벨셀 제품에 비해 칩의 면적을 30% 이상 축소해 원가가 절감된다고 설명했다.

하이닉스는 이 기술을 기반으로 16GB 양산 적용에 한정됐던 48나노 공정기술을 32GB 제품까지 확대 적용해 오는 10월부터 양산에 들어갈 예정이라고 밝혔다.

이 제품 8개를 하나의 상용 칩 패키지로 묶어 32GB 메모리 용량을 구현하면, 32GB는 MP3 음악파일 8000곡, DVD화질급 영화 20편, 고해상도 사진 3만6000장, 일간지 200년치, 단행본 220만권 분량을 저장할 수 있다.

하이닉스는 이 제품이 인텔, 소니, 마이크론 등이 주도하고 있는 낸드플래시 그룹인 ONFI의 규정을 따른 세계 최초의 BA낸드플래시(Block Abstracted 낸드플레시안에 컨트롤러가 장착돼 기능을 제어하는 낸드플래시) 제품이라고 설명했다.

낸드플래시는 D램과 달리 전원이 끊어져도 저장된 정보를 그대로 보존할 수 있고 정보의 입출력도 자유로워 디지털TV, 디지털 캠코더, 디지털 카메라, 이동통신단말기, PDA, MP3 플레이어, 게임기, 내비게이션 등에 널리 사용되고 있다.