세계 최초 WLP 2단 적층기술 개발
세계 최초 WLP 2단 적층기술 개발
  • 남경훈 기자
  • 승인 2010.03.07 21:10
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정보 입출구 많이 제작 고성능 패키지 구현 가능
하이닉스반도체(대표 김종갑)는 7일 세계 최초로 관통 전극(TSV, Through Silicon Via) 기술을 활용해 웨이퍼 레벨 패키지 (WLP, Wafer Level Package)를 2단으로 적?求?기술을 개발했다고 밝혔다.

웨이퍼 레벨 패키지 기술이란 웨이퍼 가공 후 하나씩 칩을 잘라내 패키징하던 기존 방식과 달리, 웨이퍼 상태에서 한 번에 패키지 공정 및 테스트를 진행한 후 칩을 절단하여 간단히 완제품을 만들어 내는 기술이다. 이 방식은 패키지 비용이 절감되는 장점이 있지만, 회로가 있는 칩의 윗부분이 뒤집혀 모듈 기판과 맞닿게 되면서 칩을 적?舊?못하는 구조적 단점이 있다.

이번에 개발된 기술은 웨이퍼 레벨 패키지에 관통전극 기술을 적용해 칩을 2단으로 적??것이다. 관통전극 기술을 사용해 데이터 전송 경로가 짧아지고, 웨이퍼 레벨 패키지를 적용해 더 많은 정보입출구(I/O)를 만들 수 있어 고성능 패키지 구현이 가능하게 되었다. 또한, 패키지 크기와 두께를 줄였으며 비용이 낮아져 제조원가도 절감될 전망이다.

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