청주대학교 이상렬 교수(융합전자공학부 반도체공학전공·사진) 연구팀이 최근 금속 캐핑층 구조를 이용한 고이동도의 비정질 산화물 박막 트랜지스터의 매커니즘을 규명한 연구논문을 세계 저명 학술지에 게재했다.
이 교수 연구팀은 고 이동도를 요구하는 차세대 디스플레이 및 차세대 집적회로에 적용할 수 있는 고이동도를 갖는 비정질 산화물 박막 트랜지스터 개발 및 매커니즘에 대해 분석한 논문을 세계 저명 학술지인 네이처(Nature) 자매지 `사이언티픽 리포트' 온라인판에 게재했다.
차세대 디스플레이 및 차세대 집적회로 분야는 필수 요구조건인 고 이동도와 낮은 오프-전류가 필수적으로 이뤄져야 하는데 이 교수 연구팀은 금속 캐핑층 구조를 이용하여 제작한 박막 트랜지스터를 이용하여 고특성의 박막트랜지스터를 개발했다.
/김금란기자
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